中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室简介
真诚团结，励志创新，奋力开拓，与时俱进 Z52bm65bK,:20
－集成光电子学国家重点联合实验室成立二十周年有感 U,=,os3:,hG2~3P
作者：王启明 b,.7yw5.7mQ1.6k
集成光电子学国家重点联合实验室 h3~3wF9:4QX7,G
中国科学院半导体研究所 Z4;7Pu1=,ZY4-4y
1966－1976文化大革命的10年动乱错过了国际高科技蓬勃发展的大好机遇，使我国当时就已落后的状况再次拉开了很大的距离，四人帮被粉碎后不久，小平同志主持中央工作。面对百废待兴的局面，为了夺回丢失的宝贵时机，深思熟虑地提出了一系列振兴国家的方略大计，高瞻远瞩地洞察到“科技是第一生产力”，由此“科学的春天”降临到辽阔的神州大地。中央在国家计委和国家科委的主持下，为摆脱部门所有制的束缚，提出了国家科技体制改革方案。为了凝聚优势力量，把握关键发展目标，加强基础条件建设，力争缩小与国际水平的差距并为以后的自主创新奠定坚实基础。1984年春，在全国范围内公布了筹建“国家重点实验室”的重大举措。 k9=9DV3.6lB49s
1984年底我代表中国科学院半导体所就曾与清华大学、北京大学和北京邮电大学一起就申办“国家重点实验室”进行了商洽。后来由于其他原因，此事暂被搁置，之后1985年，清华大学与吉林大学经由国家教委的渠道向国家计委提出了建立“国家重点联合实验室”的申请，基本获得计委认可，并提议在团队中加入中科院半导体所。1986年夏，在清华大学旧校本部会议室召开了第一次筹备会，与会者赞同实验室的全称为“集成光电子学国家重点联合实验室”并就各自的优势做了相应的强－强耦合，在单位落款上由于半导体所为后邀者，我主动提出把半导体所排在最后，再则第一届实验室主任和学术委员会主任由清华大学、吉林大学人员担任，以后依次轮换。在经国家计委召开的专家论证通过后，1987年正式批准成立。 b9;6Df9=7Rq1-8v
第一届实验室主任由清华大学张克潜教授担任，学术委员会主任由吉林大学高鼎三先生担任，我代表半导体所作为参与创建人之一，同时担任实验室与学术委员会副主任。 D1:6Js3-,op2.7Z
当时国家计委考虑到部门的界限一时难以突破，为了保证实验室运行管理的有效性，希望尽量把联合的范围局域在本部门内，如国家教委，中科院或工业部门等，作为试点，当时只分配中科院和国家教委各三个联合实验室的名额。 R1!7Vs1!7Hb8+2e
基于历史的原因，联合实验室当然是挂靠在国家教委，如是中科院就丢失了一个分配额度，由于我们的联合是出于同行间的民间举动，对此曾引起了部门中一些主管人员的非议。然而，周光召院长出于对国家全局利益的维护，突破了习惯的部门意识，大力支持了我们的联合实验室的建立。把设在半导体所的联合实验室分部视同一个建立在院内重点实验室，在支撑条件保证方面始终给予同等待遇。借此20周年记念之际，谨向周光召院长致以崇高的敬意。 V5!,Nd15nI8;6i
有人担心这种跨部门的联合实验室只能是为了一时联合分钱的拼盘，以后还是各干各的，难以生机盎然，时过不久，终将分手“拜！拜！” k34Wa7:,ft8?1x
然而正由于我们的联合出自民间意愿，并非“父母包办”，彼此早有交往，了解，甚至已有过相当的合作共事，并已具有各自的“强”势，加上主要骨干的素质品德都很兼容，成为我们“联合”成功的关键。“联合”既要有分工，又要有覆盖，才能实现强－强互补，在彼此借鉴，互相支援中找到共同语言。 q3!9of1~7ZY,:9M
从我走过和参与的实验室的运作中，受到了大家“真诚合作，团结共事，互相尊重”精神的熏陶与感染，尽管我们彼此间还会有指点和批评，但从不为争名夺利红脸，诚为一个和谐团结的大家庭。 m,.5SK4:6FD8!8L
20个年头在漫长的历史长河中只是短暂的一瞬，但我们的联合实验室却经历了几次方向性的更新与发展，实验室建立初期，我们的集成光电子还只能是以液相外延为基础的III－V族异质结光电子器件去配合国家光通信事业的初期发展，主攻目标是长寿命、单纵模、长波长激光器。80年代后期由于分子束外延（MBE）和有机金属气相外延（MOCVD）的建立，实验室立即转入发展以量子阱、超晶格为基础的量子光电子学集成器件为主攻目标，之后系列性地研发出了我国首批量子阱激光器包括低阈值、大功率、单模、可调谐波长激光器，推动了我国光通信事业的前进与发展。 Q5:6Dp3.,OR4;9r
此后顺应国家高科技发展的需求，以联合实验室为基地，几乎承担了863计划光电子主题1/2以上的研究课题，成为国家光电子领域一个代表性的研发基地，在国际上也产生了相当的影响。 l3!9OB18Ev6-8i
90年代初国际光通信转入网络化迅猛发展，全光放大与波分复用（WDM）为必经之道。 h7-7Fs9+5dk3.4g
实验室及时提出开展掺铒光纤放大器（EDFA）和980nm大功率泵浦源激光器的研究课题，并着手筹划Si基光波导AWG和超高频SiGe/Si HBT的研究部署，大约经过了5年的奋斗，终于取得了不同程度的突破。 D9~3zd,?7Jj8:5I
90年代后期以GaAs、InP为基质的量子阱光电子器件已相当成熟，光通信的发展也开始迈入成熟的产业化阶段。实验室当机立断适度调整，关注了光互连与光显示的应用需求，提出了开展Si基光子学（尤其是与微电子工艺兼容的Si基激光器）与有机聚合物(Polymer)发光器件(OLED)的研究，先后得到国家自然科学重大、重点基金的支持，并做出了若干有国际影响的创新成果。 P4=4CT,3Ie9!6I
90年代末，20世纪初，国际形势的不可预测性明显增加，国防、安全是保障我国独立自主、和谐发展的基础，能源枯竭的警钟已经敲响，产能与节能已成为社会可持续发展的制约要素。 H3?8xq7~2ZP6~1s
纳米技术与宽带隙半导体材料受到了极大重视，联合实验室在创新继承与开拓发展兼顾的指导思想下，利用各种有利的条件，在与产业界和军口的合作下建立了GaN、ZnO的研究阵地，为全固态、高效率白光照明的大功率LED的发展作出了重要贡献，也为强非线性全光器件的研发打下了基础。 n9!,RP6:,Us,8l
纳米技术已突破量子阱、超晶格的框架，纳米光波导、亚波长光子晶体、纳米功能材料以及微纳光、机、电集成和微纳光子集成已成为我们实验室关注的一代发展目标。 i2.3ZT,-9BM79M
联合实验室之所以能够敏锐、准确地捕获国际发展的需求，并及时采取有效的举措，除了同仁们的努力拼搏、潜心探索外，学术委员会的督促与指导作出了重要贡献。我们的学术委员会并非虚立摆设，历届成员其中只有2－3位院士（其中2位为本实验室成员），2/3的学术委员均为所在单位拼搏在前沿第一线的中青年骨干，他们的眼光接近前沿，他们作风注重实效，每次会议大家无一不言，对实验室的发展提出了不少关键性的中肯意见和重要建议。 b6-2SN3;,kj6;7v
另一个重要因素则是实验室注重海外学子的回归。20年来通过杰出青年、跨世纪人才等途径引进了不少在国际前沿工作过的年青人才，他们作为新领域的种子播下，增强了实验室推陈出新的实力，保证了实验室能够实现与时俱进的持续发展。 k7:5sp88Xp2!1J
时光在流逝，时代在发展，正如小平同志所指明“发展才是硬道理”。在今天“沉舟侧畔千帆过”的时代，要发展就要竞争，要竞争就要创新，要创新还城争分夺秒，不甘落后，总之要有时代感、紧迫感和使命感。 W3.4eY9=5BD3:1t
走过的20年，并非轻而易举，有成功的经验也有失误的教训，有可继承的“财富”，也有应予清除的“垃圾”。只要我们一如既往，团结合作，励志创新，奋力开拓，相信我们一定能够与时俱进，永不停留地前进。再过20年，我们再相见，在年青一代同志们的不懈地创新开拓、奋力拼搏下，集成光电子学国家重点联合实验室将会是流动、开放式的国际一流的联合实验室，并将持续不断地为国家发达、人类文明做出重要的创新贡献。 u6?7yI9?3eU2;9y
（2008-2-1） Q9-2Qd7?5cp1:3O
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