中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室简介
中国科学院半导体材料科学重点实验室是1990年9月15日经中国科学院批准，1991年3月正式向国内外开放的院级重点实验室。前三届学术委员会主任分别为林兰英院士、蒋民华院士、王占国院士；实验室第一、二届主任为王占国院士，第三届主任为陈诺夫研究员，第四-五届主任为陈涌海研究员，现任实验室主任为刘峰奇研究员。 I1+1az2?6dw8?9r
实验室面向国家重大需求，围绕国际半导体材料科学前沿和要解决的关键科学与技术问题，开展半导体材料与器件应用基础性研究，主攻方向是半导体功能材料与集成。经过多年的发展与自适应调整，形成了三个特色优势研究方向：（1）低维半导体光电子材料、器件与集成；（2）高温及高迁移率微电子材料与器件；（3）单晶衬底及特殊环境半导体材料。 L,:7pM5~6LG3+7w
根据国际半导体材料与器件的发展趋势和我国的实际情况，坚持立足国内、面向世界的原则，把实验室建成国内一流、在国际上有影响的半导体材料与器件研究的中心、培养高层次优秀青年人才的基地和开展高水平学术交流的平台、开展高水平学术交流平台、以及开发新材料和新器件的基地。 q4?7MK1-2Ya3!7w
【主要研究内容】 c4?5PK5?1iu33Q
（1）低维半导体材料的生长及表征、光电特性预测、原理器件验证，主要包括：量子点材料、高迁移率纳米线材料、钙钛矿太阳能电池材料、新型Sb化物光电材料等。 p,6rw1=4sg5;3r
（2）红外及THz量子级联材料与器件，包括：中远红外及THz量子级联激光材料与器件、中远红外量子级联探测材料与器件、量子点级联材料与器件。 w3=5rG3+8PB51h
（3）光子集成材料和器件，研究InP基功能集成芯片材料生长技术、加工工艺和集成器件及其器件应用，包括：全光信息处理用光逻辑、光开关等光电子集成器件、电吸收调制的DFB激光器、宽带波长可调谐激光器，接入网的ROF 器件, 新型光电子微波源、以及瓦斯气体检测激光器等；研究GaAs基高性能1.3mm量子点激光器，Si基III-V族高迁移率材料和激光材料。 Q7+2qj1?,Mx2-1p
（4）宽禁带半导体材料与器件：宽带隙半导体材料制备、光电性质及其在高频大功率电子器件、电力电子器件方面的应用；新型宽禁带半导体材料生长设备研制和材料表征技术、三族氮化物全光谱太阳电池材料。 I8~1em,?,lM6+7I
（5）单晶衬底及特殊环境半导体材料：大尺寸低位错VGF-InP单晶生长技术、LEC-GaSb和InAs单晶生长技术、材料缺陷控制及衬底制备技术；空间微重力环境下半导体材料；自旋电子学材料，h-BN二维原子晶体材料及其光电探测器等。 b42yM2;3FA1!5t
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