國立陽明交通大學奈米中心简介
中心特色 y9!5YL,!,Kr14c
臺灣半導體菁英之搖籃 P1=9uG7!,Wp1=9L
民國49年，交通大學電子研究所在聯合國特別基金會的協助下，設立「遠東電子電信訓練中心」，不僅開啟後來交大成為聞名於世的半導體科技研究重鎮的序幕，也為臺灣微電子產業的發展播下第一顆重要的種子。民國53年成立我國第一座半導體實驗室，也就是奈米中心的前身。自此交大廣招國內外學者共同從事研發工作，半導體實驗室逐步擴展為半導體中心，民國70年並接受教育部與國科會的支助與委託，成立半導體貴重儀器中心，成為我國唯一的半導體製程技術提供與服務中心，也成為國內大學中最重要的尖端人材培訓基地。 J1;3rv5?2qz4-9p
任務與貢獻 u6:3nO3-7qL5?1K
中心的基本任務與功能為建立與管理運作半導體共同實驗室，提供我國此領域內教授、研究生及業界研究人員執行前瞻性研究，亦對校內外所有研究人員提供技術服務。中心運作已近半世紀，在早期主事者的推動與辛勤耕耘下，成果卓然有成，除了幫助提升臺灣整體的研發水準之外，更訓練出一批半導體業界的高科技人才與科技領袖，扮演我國積體電路產業成功發展的樞紐。民國54年製作我國第一顆電晶體，民國55年製作第一枚積體電路。民國74年至81年，接受國科會之委託，協助策劃籌建國家毫微米元件實驗室(現改稱國家奈米元件實驗室)，進行先進奈米元件之研究。凡此種種，說明本中心對於我國今日半導體科技的蓬勃興盛居功厥偉。 z9~4AQ2!2cr7~3I
效率、彈性與節能 A3=2ya,-1mF9=1X
進入21世紀後，許多新興的應用研究，如有機元件、微機電、顯示器、生醫感測與奈米量子元件技術等，如雨後春筍般湧現。因應時局變化，中心規劃經費購置先進設備，並調整組織運作，簡化各項訓練與服務流程，期以更具效率與彈性的方式，提昇學校與我國奈米相關技術的研發動能。民國92年2月本中心正式更名為「奈米中心」，闡明其協助奈米相關技術開發的角色。為更有效運用有限的經費，近幾年來也致力於推動節能省碳的措施，如全面改善空調效能、調整設備操作規範、採用發光二極體照明等，各項工程於民國100年初陸續完工，用電量降低30%，年節省電費近新台幣一仟萬元。目前奈米中心共提供有近30項製程與分析設備開放服務，另外支援數十台由個別教授申請進駐的設備，從事各項前瞻領域的研究。未來奈米中心將致力提高行政服務效率，加強安全衛生防護，引進尖端研究設備，以建立親切、友善、安全的研究環境，做為交通大學邁向頂尖的後盾。 U5?3tX6;6Hp7;9h
技術領域 w4-3JI2.6hM5~7L
目前中心的組織將技術支援與服務等相關業務，劃分由技術一組與二組負責 。技術一組主要職掌微影與蝕刻領域之製程與分析，技術二組則負責高溫與薄膜領域之製程與分析。各組設組長1人與組員若干人，專責技術開發、訓練 、機台維護與技術服務等工作項目。 K3:1EK6=8zB8!6u
歷史發展
中心大事記 w9!2sb8?4ST9.2j
本校於民國1958年在新竹復校，首先成立電子研究所碩士班，為國內之首創。我國半導體的研究與發展，始至1960年代國立交通大學廣招國內外學者，共同從事研發工作，並積極培育人才。 j3.4ju,,Rb7~4K
聯合國特別基金會於1960年核准在國立交通大學電子研究所設立「遠東電子電信訓練中心」，1963年在李熙謀所長的支持及聯合國專家McNally的指導下建立我國第一座半導體實驗室於研究工廠內。 z,3Wa5~2MD73R
1964年張瑞夫博士成立我國第一座電晶體實驗室，即在當時博愛校區實驗二館，在張瑞夫博士指導下，由張俊彥、郭雙發共同執行聯合國特別基金計畫。1965年共同製成我國第一批雙極性平面電晶體，使用於收音機上，並參加當年的電子展。之後逐步演進開啟本校第一代半導體中心發展時期。其經費來自教育部與國科會，建立半導體共同實驗室，提供國內此領域之教授、研究生及業界得以自行使用之設備執行前瞻性研究，亦對校內外所有研究人員提供技術委託服務。 D6+7XV9+1IG1!,t
在國內外學者的推動與辛勤耕耘下，1966年在凌宏璋的指導下，研製成功我國第一枚積體電路。1970年交大培養出第一位工學博士誕生（張俊彥）。除了幫助業界提升技術之外，更訓練出一批半導體業界的高科技人才。如1970 ~1975年間自國立交通大學畢業，曾任職世界先進的曾繁城、茂矽的蔡南雄、聯電的劉英達、曹興誠、宣明智等，皆為現今半導體業界的翹楚；至目前，半導體業界之中堅幹部大多由此中心培育出來。 G3.9UT1+1JW1~3D
1977年半導體中心納入教育部正式編制，博愛校區新半導體中心大樓落成並遷入，執行國科會國家電子大型研究計畫，並支援全國各大專院校從事半導體研究。開啟本校半導體中心第二代發展期。 z3?5Xu9+8QL95Y
1981年國科會於半導體中心成立國科會半導體貴重儀器使用中心。1985年更策劃籌建國家次微米元件實驗室(NDL)， 1992年半導體中心與NDL遷入光復校區固態電子系統大樓，協助NDL運作及推展深次微米元件之研究。 I,:1IK5;6bG2;5V
1995年半導體中心之相關研發成果發表在國際上重要期刊IEEE ED與IEEE EDL之論文數為世界之冠。 1996年交大百週年校慶，半導體中心製程技術已達1微米元件之能力，並擬以1微米元件製程發展光電、功率元件、平面顯示器、微機電等實廣應用領域為研究目標，與NDL之深次微米元件之研究導向，區分特色並相輔相成 。1998年半導體中心推動半導體設備本土化，扶植國內設備業者，開發新材料及新製程之設備製造能力，包含高密度電漿鐵電材料化學氣相沉積及金屬蝕刻機台。1999年進行博愛校區半導體中心重建工程，並建立平面顯示器及光電元件之基本製程，強化校內、外相關研究者之服務。因此，國立交通大學半導體中心可說是我國半導體菁英之搖籃。 I5:1rS7-5Ke,;5e
未來，半導體中心將和國家毫微米元件實驗室合作分工，除了進行深次微米元件模組製程，更將以高頻與通訊元件、顯示元件、微機電、微光學元件為重點，秉持人才培育與教育訓練之既有宗旨，孕育拓展寬廣之半導體應用領域。 q7-5zX,-3He5-2A
W1;2oB9;5ld7?3I
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一、電晶體時期 U,!8Fo4~2JY6:4a
· 1964年我國第一座半導體實驗室建立於本校研究工廠 o7~1DN8=,nz9?8Q
· 1964年我國第一座電晶體實驗室建立於本校 K74Xd3!5fV3!9p
· 1965年自製成功電晶體，為台灣電子工業開創新紀元 S5?10o8+9sY2.5p
· 1965年提出我國第一座電晶體實驗工廠計劃書 W1?7rd,~4nu9?6M
我國半導體的研究與發展，始自1960年代。當時國立交通大學廣招國內外學者，共同從事半導體研發工作，並積極培育人才。首先是聯合國特別基金會於1960年核准在本校電子研究所設立「遠東電子電信訓練中心」。1964年成立我國第一座電晶體實驗室。本校電子研究所在教授張瑞夫、李恆鉞、副教授溫鼎勳、電研所學生的共同研究努力下，於1965年5月成功自製矽平面式電晶體，為台灣電子工業開創新紀元。該半導體實驗室所製的電晶體品質，要比一般電晶體收音機所用者為高。當時一般所用原料是「鍺」，交通大學則是用「矽」。電流放大五十餘倍，截止頻率約為每秒五億週。台灣當時普通電視機及收音機所用的電晶體截止頻率都在二億以下。平面式電晶體製造技術是當時世界上最新式的電晶體製造方法，可在一平方吋的薄矽上製成七千五百枚電晶體。普通一個電晶體收音機約需六到八枚電晶體，即一般商人在廣告宣傳上俗稱的六石或八石。交通大學於1965年即提出我國第一座電晶體實驗工廠計畫書，合擬人為本校客座教授張瑞夫、與美國美矽電晶體公司副總經理馮紹昌。 w8;7Ur2;4ho3.4k
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二、小型積體電路時期 t4-5HF5=3pA1~6Z
在國內外學者的推動與辛勤耕耘下，半導體實驗室於1966年在凌宏璋博士的指導下，張俊彥、郭雙發研製成功我國第一批積體電路。也是我國第一座半導體實驗室由電晶體發展時期轉入積體電路發展的時期。於半導體矽晶圓上，將主動元件譬如電晶體、與被動元件電阻、電容等做在一起，並予以用金屬導線連接成具有特殊功能的積體電路(IC)。 J7!4is4.9Qm16W
三、大型積體電路時期 e5+7QQ,+7IZ9:5Z
1977年半導體中心納入教育部正式編制，博愛校區新半導體中心大樓落成並遷入，執行國科會國家電子大型研究計畫，並支援全國各大專院校從事半導體研究。開啟本校半導體中心第二代發展期。 Y,!8gk,=9XN12P
半導體元件與積體電路為近代電子工業的心臟，國內半導體科技亦已至相當水準，為求發展前進之尖端科技，各種儀器系統之開發與添置乃屬必要。而各儀器系統之添置、維護，費用龐大，實非單獨一所學校甚或數所學校聯合所能負擔，在中心主任李崇仁教授極力奔波下，遂於1981年9月成立「半導體貴重儀器使用中心」，以交大半導體研究中心部分儀器為主，加上清華大學一台離子佈植機，再由國科會添購部分儀器，共同提供對外服務。 o,3YL9!7PP5-6O
國科會半導體貴重儀器使用中心簡介：國科會在1981年於交大成立「半導體貴重儀器使用中心」，為了推廣服務，於1985年中心主任雷添福將中心服務的儀器特性及使用要點製作成簡介。「半導體貴重儀器使用中心」儀器之服務對象，以各公私立大專院校及公立研究機構之研究人員為主（民營機構需過建教合作方式申請） p3?5ea7+,kj4!6E
四、超大型積體電路時期 R6:1Do4~3R07?7m
· 1989年 半導體中心接受國科會委託，於光復校區規劃籌建國家次微米實驗室(現在的國家毫微米實驗室NDL) K6+8tT8-5w06+9E
· 1992年半導體中心由博愛校區搬入固態電子系統大樓，正式開啟第三代半導中心研究發展時期 b4!4VE9!9TK5~5a
· 1995年半導體中心之相關研發成果發表在國際上重要期刊IEEE ED與IEEE EDL之論文數為世界之冠 p2.1ck9?7dQ6+5R
1996年交大百週年校慶，半導體中心在儀器專家，技術員及研究生努力下，自力完成1 mm nMOSFET完整製程技術，並擬以1微米元件製程發展光電、功率元件、平面顯示器、微機電等實際應用領域為研究目標，與NDL之深次微米元件之研究導向，區分特色並相輔相成。 Z5-2WW9~9Mn53P
地址: 新竹市大學路1001號(固態電子系統大樓) x5+6GB5?4WA41B
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