复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室简介
专用集成电路与系统国家重点实验室（复旦大学）于1989年经国家计委批准建设，1995年9月正式通过国家验收。实验室依托复旦大学国家重点一级学科“电子科学与技术”，以及“微电子学与固体电子学”与“电路与系统”两个国家重点二级学科。 t8.,pz1?8m024t
实验室面向集成电路国际主流的学术前沿问题和国家集成电路产业发展的重大需求，聚焦高能效系统芯片及其核心IP设计，开展数字、射频与数模混合信号集成电路设计创新研究，同时进行新器件新工艺和纳米尺度集成电路设计方法学的研究。形成国际领先并满足国家战略需求的标志性创新成果，使实验室成为我国在集成电路设计方向上科学研究、技术创新与高层次人才培养具有国际重要影响力的基地，为我国集成电路产业尤其是集成电路设计产业的跨越式发展做出重大贡献。 D7-2Gv2:4Zk7;9f
瞄准国际集成电路发展前沿，面向国家重大需求，面向国民经济主战场，紧紧围绕主要研究方向，实验室承担了大量国家863计划、973计划、国家科技重大专项、国家自然科学基金、国防预研项目、省部级项目以及各类国际合作项目，在国际重要刊物和国际会议上发表大量高质量学术论文，获得多项授权发明专利，荣获多项国家级二等奖、省部级一等奖、二等奖等奖项。 b9+4yv6;8Wz4-5n
实验室现有固定人员68人，其中，教授（研究员）43人，包括中国工程院院士1人，国家 Thousand Talents program 入选者5人，国家青年千人2人，国家杰出基金获得者4人，长江学者特聘教授2人、IEEE Fellow 1人。在实验室现有固定人员中，有多名国家和部委聘任的科技专家，包括1名国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项专家，2名国家“极大规模集成电路装备和成套工艺”科技重大专项专家，4名科技术“863”计划专家库专家。按照“创新团队+优秀研究小组”的建设思路，打造了实验室年轻化、团队化、国际化的研究队伍。 C9+2ul2-,mY8-5q
实验室拥有器件与工艺子平台环境和集成电路设计环境。器件与工艺子平台现有千级净化面积约600平方米，百级净化面积100平方米，配备了价值近1亿元的设备，具有开展先进纳米CMOS器件和工艺的研发能力。集成电路设计环境已可提供Cadence、Mentor Graphics、Synopsys、Altera、Xilinx等著名国际公司软件环境，提供相应的标准化仿真模型，支持教学、科研、产品设计与制造。实验室平台本着“集中、共享、升级、开放”的原则为实验室的科学研究服务。 I2~2ct7;,dt64F
实验室积极开展多渠道学术交流，承办ICSICT、ASICON等多个重要国际会议，参加学术会议并做特邀报告，积极开展国际科技合作和交流。依托“重点实验室高级访问学者基金”和设立开放课题，吸引国内外高水平研究人员来实验室开展合作研究，加强了实验室研究的前瞻性和国际化程度。 W6+9QP6+9AI8~9k
科学研究
【总体定位】 c5=6my2;5SZ8~7t
实验室面向集成电路国际主流的学术前沿问题和国家集成电路产业发展的重大需求，聚焦高能效系统芯片及其核心IP设计，开展数字、射频与数模混合信号集成电路设计创新研究，同时进行新器件新工艺和纳米尺度集成电路设计方法学的研究。形成国际领先并满足国家战略需求的标志性创新成果，使实验室成为我国在集成电路设计方向上科学研究、技术创新与高层次人才培养具有国际重要影响力的基地，为我国集成电路产业尤其是集成电路设计产业的跨越式发展做出重大贡献。 E2:6az8.1fC5+8k
【研究方向】 v26og3?1dO9=8y
实验室聚焦高能效系统芯片及其核心IP设计，开展数字、射频与数模混合信号集成电路设计创新研究，同时进行MOS新器件新工艺和纳米尺度集成电路设计方法学的研究。 I6=4ih3:3LS,:8J
实验室三个主要研究方向及凝练的研究工作重点： Z7=9md51DN2;5d
（1）系统芯片设计及应用 J1.8yC59Ht2=,v
高能效处理器与系统芯片设计 T4+3rU8-3eO6-9M
面向以纳米尺度集成电路先进工艺和核心知识产权核复用为支撑的片上系统芯片的高能效、多功能化技术发展趋势，研究平台化的片上系统芯片架构与实现技术，实现可重构可编程、高数据处理能力、以及高能效的片上系统芯片，满足现代电子系统要求。 t1~9YT2=4fq1=2J
主要开展处理器指令集体系、架构与多核通信机制、嵌入式处理器、片上存储器、可编程逻辑器件、系统芯片设计平台技术和低功耗电路设计技术等研究，形成高水平的基于核心IP的高能效系统芯片设计平台。 E8+2Ig8=5kn1=6r
高性能射频与混合信号集成电路设计 R,~8LG9?5xP6~,c
根据现代电子系统高数据率、高能效的要求以及纳米尺度器件的特点，研究射频与混合信号电路的结构与实现，特别是采用数字辅助技术，实现高频、宽带、高稳定度、低功耗、先进工艺相关度等特征，满足系统芯片的要求。 b5+,wU5!9TJ4?,l
主要开展数字辅助和多模可重构射频收发器、微功率自供电芯片、毫米波集成电路、高速高精度高能效模数转换器、先进电源管理芯片技术等研究。 N6!7Iq4-5gh,~5j
（2）芯片设计方法学与设计自动化 e1=1hW6!9mH1!,F
芯片设计方法学与设计自动化方向为集成电路的设计和工艺方向提供基础性支撑，研究超大规模、超高速集成电路的快速准确建模、分析与优化方法，一方面突破设计复杂度急剧膨胀难题，另一方面突破纳米工艺导致的可制造性和成品率瓶颈问题。 f,-7JD3~2FO7?1c
主要开展超大规模互连线的参数提取、模型降阶和综合，模拟电路的行为级描述语言VHDL－AMS、建模、分析和综合优化，集成电路的物理设计、可制造性设计等方向的研究，突破纳米尺度集成电路设计自动化的计算复杂度、可制造性等瓶颈问题。 u4;2GQ7:,BQ8~3d
（3）集成电路器件与工艺 e,~8of6~7wj6:4P
近年来，集成电路制造已经进入20纳米及以下MOS工艺节点，纳米尺度的新器件新工艺将是集成电路制造水平不断进步的核心技术，同时可制造性设计与良率提升技术也是纳米尺度制造工艺走向产业化的重要保障。 C5;3Xr8:3kL5~3F
根据摩尔定律，未来5-10年是集成电路技术出现颠覆性突破的高发期，本方向将抓住此机会窗口，主要将开展纳米MOS新器件新工艺（如FinFET、TFET、SFGT、新型存储器等）、微纳电机系统（MEMS或NEMS）研究，在新结构、新器件和新工艺的基础研究上，取得突破性进展。 V4:6yD89yN5:5A
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